Baturkin, VolodymyrVolodymyrBaturkinSpietz, PeterPeterSpietzWirth, IngoIngoWirth2022-03-082022-03-082018https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/311543In einem Verfahren (18) zum Herstellen eines Thermistors (1) wird eine Trägerfolie (2) mit einer metallischen Tinte (19) bedruckt, und die auf die Trägerfolie (2)aufgedruckte metallische Tinte (19) wird thermisch behandelt, so dass die metallische Tinte (19) zu einer Leiterbahn (3) umgewandelt wird. Die metallische Tinte (19) weist einen Platinanteil aus elementarem Platin von mindestens 15 % und einen niedrigverdampfenden Anteil aus mindestens einem niedrigverdampfenden Stoff (20) mit einer Verdampfungstemperatur unterhalb von 250 °C von mindestens 60 % auf, wobei die Summe des Platinanteils und des niedrigverdampfenden Anteils an der metallischen Tinte (19) mindestens 99,5 % beträgt. Das thermische Behandeln umfasst ein Sintern bei 380 °C bis 400 °C, so dass jeder niedrigverdampfende Stoff (20) während des Sinterns verdampft und die Leiterbahn (3) nach dem Sintern einen Endanteil aus elementarem Platin von mindestens 99 % aufweist. Ein Thermistor (1) mit einer Trägerfolie (2), die eine Folien-Schichtdicke von höchstens 10 µm aufweist, und einer Leiterbahn (3) auf der Trägerfolie (2), die einen Endanteil aus elementarem Platin von mindestens 99 % aufweist, kann beispielsweise nach diesem Verfahren (18) hergestellt werden.In a method (18) to produce a thermistor (1), a carrier film (2) is printed with a metallic ink (19), and the metallic ink (19) printed on the carrier film (2) is thermally treated such that the metallic ink (19) is converted into a conductor path (3). The metallic ink (19) has a platinum proportion of elementary platinum of at least 15% and a low-evaporating proportion of at least one low-evaporating substance (20) having an evaporation temperature of below 250 °C of at least 60%, wherein the sum of the platinum proportion and the low-evaporating proportion of the metallic ink (19) is at least 99.5%. The thermal treatment comprises sintering at 380 °C to 400 °C so that every low-evaporating substance (20) evaporates during sintering, and after sintering the conductor path (3) has a final proportion of elementary platinum of at least 99%. A thermistor (1) having a carrier film (2) which comprises a film layer thickness of at most 10 µm, and a conductor path (3) on the carrier film (2) comprising a final proportion of elementary platinum of at least 99 % can, for example, be produced using this method (18).de620660671patent102017101262