Rothhardt, PhilipPhilipRothhardtWolf, AndreasAndreasWolfMeier, SebastianSebastianMeierBiro, DanielDanielBiroWerner, SabrinaSabrinaWerner2022-03-082022-03-082017https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/311147Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses. Hierbei werden zunächst Halbleitersubstrate zumindest einseitig mit einer mindestens einen ersten Dotierstoff enthaltenden Schicht beschichtet. Jeweils zwei dieser Halbleitersubstrate werden so in einer Prozesskammer angeordnet, dass zwei ihrer beschichteten Seiten in unmittelbaren Kontakt gebracht werden.de621Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses sowie mit diesem Verfahren hergestelltes dotiertes HalbleitersubstratMethod for doping semiconductor substrates by means of a co-diffusion process and doped semiconductor substrate produced by means of said methodpatent102015226516