Luethje, H.H.LuethjeBiehl, S.S.Biehl2022-03-082022-03-082004https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/306386Die Erfindung betrifft eine Duennschichtmaske, die aus einem durch elektromagnetische Strahlung oder Korpuskularstrahlung entfernbaren Material hergestellt ist und fuer die Bildung von Strukturen, insbesondere Mikrostrukturen an der Oberflaeche eines Substrats (1), vorgesehen ist. Die Maske ist durch selektive Bestrahlung einer durch ein CVD-Verfahren oder PVD-Verfahren auf das Substrat aufgebrachten Schicht (4) gebildet. Die Schicht zeichnet sich durch eine gleichmaessige Dicke auch auf einer ausgepraegten dreidimensionalen Konfiguration und der Substratoberflaeche aus. Eine besonders geeignete Schicht wird erhalten, wenn sie durch ein Plasma-CVD-Verfahren aufgebracht ist.DE 10253126 A UPAB: 20040709 NOVELTY - Thin layer mask is produced by selectively irradiating a layer (4) applied on a substrate (1) by CVD. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a process for the production of a thin layer mask. USE - Used for producing microstructures in microelectronics, nanotechnology and in microsystems technology. ADVANTAGE - Microstructures can be easily formed using the thin layer mask.de608667patent2002-10253126