Kämpfe, ThomasThomasKämpfeLaleni, NelliNelliLaleni2024-05-272024-05-272022-06-23https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/468787Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektrische Schaltungsanordnung mit einem ferroelektrischen Feldeffekttransistor, einer elektrischen Energiequelle (2) und einem resistiven Element (3) mit einem elektrischen Widerstand von mindestens 100 kOhm, wobei das resistive Element (3) mit einem Drain-Anschluss (D) des ferroelektrischen Feldeffekttransistors elektrisch verbunden ist und die elektrische Energiequelle (2) mit einem Gate-Anschluss (G) und einem Source-Anschluss (S) des ferroelektrischen Feldeffekttransistors (1) elektrisch verbunden ist.The invention relates to an electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, an electric energy source (2), and a resistive element (3) having a minimum electric resistance of 100 kOhm, the resistive element (3) being electrically connected to a drain terminal (D) of the ferroelectric field effect transistor, and the electric energy source (2) being electrically connected to a gate terminal (G) of the ferroelectric field effect transistor (1).deElektrische Schaltungsanordnung mit einem ferroelektrischen Feldeffekttransistor und SpeicherzelleElectric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cellpatentDE102020216060 A1DE202010216060