Schönfelder, A.A.SchönfelderWeisser, S.S.WeisserRalston, J.D.J.D.RalstonLarkins, E.C.E.C.LarkinsEsquivias, I.I.EsquiviasFleissner, J.J.FleissnerTasker, P.J.P.J.TaskerRosenzweig, JosefJosefRosenzweig2022-03-082022-03-081992https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/319625enDämpfungsratedamping rateHalbleiterlaserdiodehigh-frequency direct modulationHochfrequenzdirektmodulationp-dopingp-Dotierungrelative intensity noiserelatives Intensitätsrauschensemiconductor laser621667Comparison of ultrahigh-speed 30 GHz undoped and p-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers.Vergleich von ultraschnellen 30 GHz undotierten und p-dotierten In0.35Ga0.65As/GaAs-MQW-Lasernconference paper