Goetzlich, J.J.GoetzlichTsien, P.H.P.H.TsienHenghuber, G.G.HenghuberRyssel, H.H.Ryssel2022-03-022022-03-021983https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/171675enDotierungimplantationLaserannealingCO2-laser annealing of ion implanted silicon - relaxation characteristics of metastable concentrationsbook article