Obermeier, E.E.ObermeierKaas, K.-H.K.-H.KaasDrost, S.S.DrostEndres, H.-E.H.-E.EndresHutter, F.F.HutterSchmidt, H.H.Schmidt2022-03-082022-03-081986https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/314273deGate-BeschichtungMOS-Feldeffekttransistor(gassensitiv)OrmosilGassensitive MOS-Feldeffekttransistoren mit Gate-Beschichtung aus Ormosilconference paper