Mehlhorn, T.T.MehlhornBenzel, H.W.H.W.BenzelBrockherde, W.W.BrockherdeKopystynski, P.P.KopystynskiSchnatz, F.V.F.V.SchnatzSchöneberg, U.U.Schöneberg2022-03-082022-03-081992https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/319616Es wird ein Verfahren vorgestellt, Kapazitätsänderungen von Sensorelementen in Spannungsänderungen umzuwandeln. Bei Plattenkondensatoren wird die Abstandsänderung in eine proportionale Spannungsänderung übertragen. Um Sensoren abgleichen zu können, sind Möglichkeiten zur Empfindlichkeits-, Nullpunkt- und Temperaturkompensation vorgesehen. Dieses Verfahren wurde in einem integrierten CMOS-Schaltkreis realisiert. Die einzelnen Baugruppen des ICs, sowie der gesamte IC zusammen mit einem monolithisch integrierten Drucksensor wurden erfolgreich getestet.deBandgapreferenzcapacitive transducerCMOS integrated circuitscompensationkapazitives MeßverfahrenKompensationkomplementäre MOS-SchaltungLinearisierunglinearizationSiliziumdrucksensor621conference paper