Under CopyrightKallinger, BirgitBirgitKallinger2022-03-076.12.20112011https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/27904110.24406/publica-fhg-279041In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei der Epitaxie sowie auf der dotierungsinduzierten Fehlpassung zwischen Substrat und Schicht. Darüber hinaus wird das Charakterisierungsverfahren des defektselektiven Ätzens in einer Vergleichsstudie mittels Synchrotron-Röntgentopographie verifiziert.deHalbleiter mit grosser BandlückeLeistungselektronikEpitaxieKristalldefektDefektcharakterisierung670620530doctoral thesis