Tsien, P.H.P.H.TsienRyssel, H.H.RysselRoeschenthaler, D.D.RoeschenthalerRuge, I.I.Ruge2022-03-022022-03-021981https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/170447enArsenimplantationLaserannealingSilizium530Nd-YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon - dependence upon scanning speed and power density.Nd-YAG Laserausheilung von Arsen implantiertem Silizium - Abhaengigkeit von Scangeschwindigkeit und Leistungsdichtejournal article