Tsien, P.H.P.H.TsienRyssel, H.H.RysselRoeschenthaler, D.D.RoeschenthalerRuge, I.I.Ruge2022-03-022022-03-021981https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/170448enArsenimplantationLaserannealingSilizium530Nd-YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon - Relaxation of metastable concentration by means of CO2-laser irradiation.Nd-YAG Laserausheilung von Arsen implantiertem Silizium - Relaxation der metastabilen Konzentration mit Hilfe von CO2- Laserbestrahlungjournal article