Ihle, MartinMartinIhleZiesche, SteffenSteffenZiescheZech, ChristianChristianZechBaumann, BenjaminBenjaminBaumann2022-03-082022-03-082020https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/311622Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung mit einer Substratstruktur (2), zumindest einem Hochfrequenzschaltkreis auf Basis eines Halbleiter-Substrates (1) bestehend aus zumindest einem Transistor und/oder passiven Bauteil und/oder Leitungselement, einer Direktkontaktierung (3), die einen Metallisierungsbereich (9) auf der Substratstruktur (2) elektrisch leitend mit dem Hochfrequenzschaltkreis (1) verbindet, und wobei die Direktkontaktierung (3) mittels eines maskenlosen Direktschreib-Verfahrens aufgebracht ist.de667patent102018214126