Erlbacher, TobiasTobiasErlbacherHürner, AndreasAndreasHürner2022-03-082022-03-082019https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/312284Bei einem Halbleiterschalter mit einem monolithisch integrierten Feldeffekttransistor ist das Source- oder Emitter-Gebiet des Feldeffekttransistors über ein Halbleitergebiet und ein n-dotiertes Kontaktgebiet mit einem ersten elektrischen Anschluss verbunden. In dem Halbleitergebiet ist zwischen dem n-dotierten Kontaktgebiet und dem Source- oder Emitter-Gebiet des Feldeffekttransistors eine Halbleiterstruktur mit n-dotierten Kanälen ausgebildet, die das n-dotierte Kontaktgebiet mit dem Source- oder Emitter-Gebiet des Feldeffekttransistors elektrisch verbinden und zwischen p-dotierten Gebieten verlaufen, die mit dem n-dotierten Kontaktgebiet verbunden sind. Der Halbleiterschalter eignet sich als selbstschaltender Lasttrennschalter und weist geringe Verluste im eingeschalteten Zustand auf.de670620530patent102017213489