Bürkner, S.S.BürknerBaeumler, MartinaMartinaBaeumlerWagner, J.J.WagnerLarkins, E.C.E.C.LarkinsFlemig, G.G.FlemigRothemund, W.W.RothemundRalston, J.D.J.D.Ralston2022-03-092022-03-091994https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/322321enhigh power laserHochgeschwindigkeitslaserimpurity-free interdiffusionInGaAs/GaAs laserInterdiffusionKurzzeittemperungrapid thermal annealing621667Compatibility of impurity-free selective interdiffusion with high-speed and high-power pseudomorphic InyGa1-yAs/GaAs MQW lasersKompatibilität von deckschichtinduzierter, selektiver Interdiffusion mit der Herstellung von pseudomorphen InyGa1-yAs/GaAs Hochleistungs- und Hochgeschwindigkeitslaserdiodenconference paper