Bachem, K.H.K.H.BachemGanser, P.P.GanserKöhler, KlausKlausKöhlerMaier, M.M.Maier2022-03-032022-03-031991https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/180262enelectrical propertyelektrische EigenschaftIII-V HalbleiterIII-V semiconductorsMBE621667548Modulation doped inverted and normal GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures - influence of Si-segregation on the two-dimensional electron gas.Modulationsdotierte invertierte und normal GaAs/AlxGa1-xAs Heterostrukturen - Einfluß der Si-Segregation auf das zweidimensionale Elektronengasjournal article