Stein, E.E.Stein2022-03-072022-03-071988https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/285260In dieser Arbeit wird ein vielseitiges, ein- und zweidimensionales Prozess- und Parametersimulationssystem fuer in Silizium integrierte Bauelemente vorgestellt. - Es enthaelt universelle ein- und zweidimensionale Prozesssimulatoren mit relativ einfachen Prozessmodellen, die die ueblichen Standardtechnologien mit guter Genauigkeit beschreiben. - Zur Ermittlung von Ladungstraegerprofilen aus den Ergebnissen der Prozesssimulation in Abhaengigkeit von angelegten Spannungen wird die Poisson-Gleichung fuer beliebige Strukturen ohne vereinfachende Annahmen in bezug auf die Bauelementegeometrie geloest. Aus den eindimensionalen Ladungstraegerprofilen kann eine grosse Zahl von Parametern integrierter Bauelemente, wie MOS-, Bipolar- und Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, Widerstaenden, Kondensatoren und Dioden bestimmt sowie durch zweidimensionale Simulation deren Geometrieabhaengigkeit untersucht werden. (IMS)deCMOS-ProzeßFinite-BoxesJFETKurzkanal-EffektMOS-TransistorParametersimulationPoisson-GleichungProzeßsimulation621book