Untersuchung und Entwicklung der CMOS-Technologie auf vergrabenem Isolator als einer neuen VLSI-Technologie. Berichtszeitraum 01.07.1987

Abel, H.B.H.B.AbelGassel, H.H.GasselBelz, J.J.BelzBurbach, G.G.BurbachVogt, HolgerHolgerVogtDebusmann, K.K.DebusmannPeter-Weidemann, J.J.Peter-WeidemannRedlich, S.S.RedlichGötzen, R.R.Götzen2022-03-072022-03-071990https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/286146delatch-upSIMOXSOI-Technologievergrabener Isolator621Untersuchung und Entwicklung der CMOS-Technologie auf vergrabenem Isolator als einer neuen VLSI-Technologie. Berichtszeitraum 01.07.1987 - 31.09.1990. BMFT-Abschlußbericht 110620book