Jäger, UlrichUlrichJägerLohmüller, ElmarElmarLohmüllerLohmüller, SabrinaSabrinaLohmüllerSaint-Cast, PierrePierreSaint-CastWolf, AndreasAndreasWolf2022-03-082022-03-082019https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/311734Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine metallische Kontaktierungsstruktur einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes, mit den VerfahrensschrittenA) Bereitstellen einer Halbleiterschicht;B) Erzeugen zumindest eines p-dotierten Bereiches angrenzend an eine Metallisierungsoberfläche der Halbleiterschicht;C) Aufbringen einer silberhaltigen Metallisierungsmasse unmittelbar oder unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschichten auf die Metallisierungsoberfläche der Halbleiterschicht in einem Kontaktierungsbereich, so dass die Metallisierungsmasse den p-dotierten Bereich zumindest teilweise bedeckt;D) Sintern der Metallisierungsmasse.Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die silberhaltige Metallisierungsmasse weniger als 0,5% Aluminium enthält und dass in einem Oberflächenbehandlungsschritt L die Metallisierungsoberfläche der Halbleiterschicht zumindest in dem Kontaktierungsbereich mit Laserstrahlung beaufschlagt wird, wobei Verfahrensschritt L vor Aufbringen der Metallisierungsmasse durchgeführt wird.de621697patent102017116833