Reichel, ChristianChristianReichelFeldmann, FrankFrankFeldmannRichter, ArminArminRichterLuderer, ChristophChristophLudererBenick, JanJanBenickHermle, MartinMartinHermlePenn, MichaelaMichaelaPenn2024-05-232024-05-232022-06-23https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/468710Die Erfindung betrifft eine Mehrfachsolarzelle, aufweisend- eine erste Teilsolarzelle mit zumindest einem p- oder n-dotierten Emitterbereich und zumindest einem zu dem Emitterbereich entgegengesetzt dotierten Basisbereich, wobei die erste Solarzelle als Silizium-Solarzelle ausgebildet ist,- zumindest eine zweite Teilsolarzelle mit zumindest einem p- oder n-dotierten Emitterbereich und zumindest einem zu dem Emitterbereich entgegengesetzt dotierten Basisbereich und- zumindest eine Tunneldiode, welche zwischen erster und zweiter Teilsolarzelle angeordnet ist, wobei die Mehrfachsolarzelle monolithisch ausgebildet ist.Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Tunneldiode eine der ersten Teilsolarzelle zugewandte, p- oder n-dotierte erste Siliziumschicht, eine der ersten Teilsolarzelle abgewandte, zu der ersten Siliziumschicht entgegengesetzt dotierte zweite Siliziumschicht und eine zwischen erster und zweiter Siliziumschicht der Tunneldiode angeordnete Tunnelschicht aufweist.The invention relates to a multiple solar cell, comprising - a first partial solar cell having at least one p- or n-doped emitter region and at least one base region doped oppositely to the emitter region, the first solar cell being embodied as a silicon solar cell, - at least one second partial solar cell having at least one p- or n-doped emitter region and at least one base region doped oppositely to the emitter region, and - at least one tunnel diode arranged between first and second partial solar cells, the multiple solar cell being embodied in monolithic fashion. The invention is characterized in that the tunnel diode comprises a p- or n-doped first silicon layer facing the first partial solar cell, a second silicon layer doped oppositely to the first silicon layer and facing away from the first partial solar cell, and a tunnel layer arranged between first and second silicon layers of the tunnel diode.depatentDE102020134733 A1DE202010134733