Boom, T. van denT. van denBoomHammerschmidt, D.D.HammerschmidtMachul, O.O.MachulBrockherde, W.W.BrockherdeHosticka, B.J.B.J.Hosticka2022-03-092022-03-091996https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/326440Für den Einsatz in Sensorsystemen werden Speicherzellen vorgestellt, die zunächst während der Ermittlung der benötigten Einstellungen als RAM betrieben werden und nach Abschluß der Kalibration durch einen Brennvorgang in ROM-Zellen umgewandelt werden können. Als nicht flüchtiges Speicherelement wird eine Zener-Zapping-Diode eingesetzt, die sich ohne Prozeßerweiterungen in einen Standard-CMOS-Prozeß realisieren läßt. Für den Brennvorgang wird ein Programmierstrom vom 18 mA bei einem Spannungsabfall von 6.8V an den Zener-Zapping-Dioden benötigt.deElektromigrationKalibrierungpn-Halbleiterdiodeprogrammierbarer FestwertspeicherSpeicherzelleSRAM621conference paper