Cardona, M.M.CardonaAxmann, A.A.AxmannCompaan, A.A.CompaanContreras, G.G.Contreras2022-03-022022-03-021983https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/172017en350 KiloelektronenvoltArsenBorGalliumIonenimplantationMode(optisch)PhosphorRamanstreuungVielfachimpulsXenonchlor-Laser621667536Phonon softening in ultra heavily doped Si and Ge.Phononschwaechung in ultra stark dotiertem Si und Gejournal article