Weisser, S.S.WeisserRalston, J.D.J.D.RalstonLarkins, E.C.E.C.LarkinsEsquivias, I.I.EsquiviasTasker, P.J.P.J.TaskerFleissner, J.J.FleissnerRosenzweig, JosefJosefRosenzweig2022-03-082022-03-081992https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/31983010.1109/IEDM.1992.307531enDämpfungsratedamping rateHalbleiterlaserdiodehigh-frequency direct modulationHochfrequenzdirektmodulationsemiconductor laser621667High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasersHochfrequenzcharakterisierung von p-modulationsdotierten In0.35Ga0.65As/GaAs-MQW-Lasern mit einer Modulationsbandbreite von 30 GHzconference paper