Schweizer, T.T.SchweizerGanser, P.P.GanserKöhler, KlausKlausKöhler2022-03-032022-03-031991https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/17964110.1088/0268-1242/6/5/0072-s2.0-0026155178enanisotrope Elektronenbeweglichkeitanisotropic electron mobilityIII-V HalbleiterIII-V material propertiesIII-V MaterialeigenschaftIII-V semiconductors621667530Anisotropic electron mobilities of Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs high electron mobility transistor structures.Anisotrope Elektronenbeweglichkeit von Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs HEMT Strukturenjournal article