Kalkowski, G.G.KalkowskiRisse, S.S.Risse2022-03-082022-03-082007https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/307733Die Erfindung betrifft elektrostatische Halteelemente, die fuer die Herstellung von Elementen, die bei der lithographischen Strukturierung von Halbleiterelementen sowie Substrate fuer Halbleiterelemente eingesetzt werden koennen. Die erfindungsgemaessen Halteelemente sollen gemaess der gestellten Aufgabe im Vakuum eingesetzt werden koennen und die Positioniergenauigkeit und Haltekraft der mit ihnen fixierten Elemente erhoeht werden. Hierzu ist das elektrostatische Halteelement aus einem Werkstoff, der einen spezifischen elektrischen Widerstand bei einer Temperatur von 20°C unterhalb von 1013 ?cm und einen Waermeausdehnungskoeffizienten, dessen absoluter Betrag mindestens im Temperaturbereich zwischen 0 und 50°C < 10-7/K ist, gebildet. Ausserdem weist der dielektrische Teil des Halteelementes eine Dicke < 0,5 mm auf und die zum Halten des jeweiligen Elementes oder Substrates genutzte Oberflaeche ist strukturiert.EP 1378936 A UPAB: 20040205 NOVELTY - Electrostatic holding element has a dielectric part with a thickness of less than 0.5 mm and having a structured surface. The holding element is made from a material having a specific electrical resistance of more than 1013 Omega cm at 20 deg. C and a heat expansion coefficient of less than 10-7/K in the temperature range of 0-50 deg. C. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The material of the holding element is an alkali/alkaline earth-alumino silicate, preferably LiAlSiO4, LiAlSi2O6 or Zn0.5AlSi2O6, in a SiO2 matrix. The structured surface has protrusions with recesses between them having a depth of 0.5-0.001 mm. USE - Used in the lithographic structuring of semiconductor elements or substrates. ADVANTAGE - The holding element has high holding force.de608620patent2002-10230660