Optisch steuerbare monolithisch integrierte Hochfrequenzoszillatoren auf der Basis von GaAs-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren

Bangert, A.A.Bangert2022-03-062022-03-061994https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/272079demonolithische IntegrationPhasensteuerungpseudomorpher GaAs-HFET621667Optisch steuerbare monolithisch integrierte Hochfrequenzoszillatoren auf der Basis von GaAs-Heterostruktur-Feldeffekttransistorendoctoral thesis