Zimmer, GünterGünterZimmerDobos, KarolyKarolyDobos2022-03-082022-03-081990https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/302320Sensoranordnung zur Messung der Konzentration von Komponenten eines Gasgemisches durch Verwendung von gasempfindlichen und durch die elektrische Beschaltung sich in leitendem Zustand befindenden Feldeffekttransistoren, bestehend aus den Anschluessen fuer Drain (1), Source (2), Gate (3) und Substrat (4), bei denen die zu messende Komponente eines Gasgemisches eine Schwellenspannungsaenderung hervorruft, die wiederum als Sensorsignal ausgewertet wird. Es werden zwei oder mehrere gasempfindliche Feldeffekttransistoren durch Verbindung des Drain (1) des einen Transistors mit dem Source (2) des naechsten Transistors in Reihe geschaltet und die Spannung zwischen Gate (3) und Source (2) zweier oder mehrerer gasempfindlicher Feldeffekttransistoren in der Reihenschaltung einzeln so eingestellt, dass durch Addition der Schwellenspannungsaenderungen der in Reihe geschalteten Feldeffekttransistoren ein groesseres Sensorsignal als bei einem einzelnen Feldeffekttransistor zur Auswertung zur Verfuegu ng steht.de608621patent1986-3642891