Adams, MartinMartinAdams2023-12-112023-12-112023-03-30https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/457837Die vorliegende Erfindung betrifft eine kantenemittierende Laserdiode, die eine Halbleiter-Heterostruktur aus wenigstens einer aktiven Schicht oder Schichtfolge zwischen zwei wellenleitenden Halbleiterschichten oder -schichtfolgen aufweist, die sich zwischen einer Rück- und einer Frontfacette der Laserdiode erstrecken. Die beiden wellenleitenden Halbleiterschichten oder -schichtfolgen weisen jeweils einen oder mehrere modifizierte Abschnitte zwischen der Rück- und der Frontfacette auf, in denen vertikale Leckströme aus der aktiven Schicht oder Schichtfolge durch eine gegenüber den verbleibenden Abschnitten veränderte Ausbildung der beiden wellenleiten Halbleiterschichten oder -schichtfolgen verringert oder unterdrückt werden. Die modifizierten Abschnitte sind dabei an Positionen angeordnet, an denen ohne diese Verringerung oder Unterdrückung der vertikalen Leckströme unerwünschte Temperaturüberhöhungen beim Betrieb der Laserdiode auftreten würden. Durch die damit verbundene Erhöhung der COD-Schwelle erhöhen sich die erzielbare optische Ausgangsleistung und die Lebensdauer der Laserdiode.depatentDE102021125392 A1DE202110125392