Quenzer, Hans-JoachimHans-JoachimQuenzerKulkarni, AmitAmitKulkarniVedder, ChristianChristianVedderFuchs, FlorianFlorianFuchsStollenwerk, JochenJochenStollenwerk2024-06-172024-06-172022-04-21https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/469784Bei einem Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Siliziumschicht auf einem Substrat mit integrierten elektronischen Bauelementen wird zunächst eine amorphe Siliziumschicht auf dem Substrat abgeschieden und anschließend durch Bestrahlung mit Laserstrahlung zumindest in einem oder mehreren Bereichen auf dem Substrat kristallisiert. Die Bestrahlungsparameter der Bestrahlung mit Laserstrahlung werden dabei so gewählt, dass die amorphe Siliziumschicht durch Festphasenkristallisation kristallisiert. Dadurch lassen sich bspw. MEMS-Strukturen aus kristallinem Silizium auf einem ASIC ohne Gefahr der Temperaturschädigung des ASICs erzeugen.The invention relates to a method for producing a crystalline silicon layer (8) on a substrate (1) having integrated electronic components, in which method an amorphous silicon layer (6) is first deposited on the substrate (1) and then crystallised on the substrate (1) in at least one or more regions by means of irradiation with laser radiation. According to the invention, the irradiation parameters of the irradiation with laser radiation are selected such that the amorphous silicon layer (6) crystallises by means of solid phase crystallisation. This allows e.g. MEMS structures consisting of crystalline silicon to be produced on an ASIC without the risk of temperature damage to the ASIC.depatentDE102020127431 A1DE202010127431