Zimmer, GünterGünterZimmerDobos, KarolyKarolyDobos2022-03-082022-03-081989https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/302210Beschrieben wird ein Gassensor, der aus einer Elektrode-Isolator-Halbleiterstruktur mit direkt oder indirekt heizbarer Gate-Elektrode aufgebaut ist. Bei einer bevorzugten Ausfuehrungsform besteht der Gassensor aus einem MOS-FET-Transistor, dessen Gate-Elektrode als heizbarer Widerstand ausgebildet ist, der eine muldenfoermige Isolationsschicht brueckenfoermig ueberspannt und mit ihr einen Hohlraum bildet. Dadurch liegt die gasempfindliche Schicht zwischen der Gate-Elektrode und der Oxidschicht frei und ist fuer Messung unterschiedlicher Gase zugaenglich. Durch die heizbare Elektrode wird ein Aufheizen des gesamten MOS-FET-Transistors vermieden, wodurch seine Lebensdauer und die O-Punkt-Drift vermindert werden.de608621patent1988-3807603