Engelhardt, A.A.Engelhardt2022-03-082022-03-081993https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/302872Das Verfahren verbindet eine kurze Verfahrensdauer mit einer guten Kontrollierbarkeit der Dotierungskonzentration und vermeidet unerwuenschte Sekundaerimplantation von Fremdatomen. Bei dem Verfahren wird zunaechst eine duenne amorphe Schicht (1), die aus demselben Material wie der Festkoerper besteht, auf die Oberflaeche des kristallinen Festkoerpers (2) aufgebracht. Anschliessend wird eine definierte Menge von Dotierstoffen (3) durch niederenergetische Ionenimplantation vollflaechig in diese amorphe Schicht eingebracht. Nachfolgend werden durch intensive lokale Bestrahlung mit Laserimpulsen (4) Bereiche (5) der amorphen Schicht und des darunterliegenden Festkoerpers kurzzeitig zum Schmelzen gebracht, so dass die Dotieratome in die geschmolzenen Bereiche des Festkoerpers eindiffundieren. Waehrend des Abkuehlens kristallisieren die geschmolzenen Bereiche einschliesslich des amorphen Materials wieder. Abschliessend wird die restliche amorphe Schicht durch ein Aetzverfahren selektiv entfe rnt. Das Hauptanwendungsgebiet dieses Verfahrens liegt im Bereich der Halbleiterfertigung, insbesondere bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen auf Siliziumbasis.de608621patent1992-4223403