Czotscher, K.K.CzotscherWeisser, S.S.WeisserLänge, R.R.LängeBenz, W.W.BenzBurkhard, H.H.BurkhardHillmer, H.H.HillmerSteinhagen, F.F.SteinhagenKiefer, R.R.KieferLösch, R.R.LöschPletschen, WilfriedWilfriedPletschenWalcher, H.H.WalcherWalther, MartinMartinWaltherRosenzweig, JosefJosefRosenzweig2022-03-092022-03-091997https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/327985enchirp characteristicsquantum well laserssemiconductor laser621667Chirp characteristics of 1.55 mu m InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well laser diodesChirp-Eigenschaften vo 1.55 Mikrometer InGaAs/InGaAlAs Mehrfachquantenfilm-Laserdiodenconference paper