Bachem, K.H.K.H.BachemPletschen, WilfriedWilfriedPletschenLauterbach, T.T.LauterbachShur, M.M.Shur2022-03-082022-03-081991https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/318560enactivation energyAktivierungsenergiecollector currentGleichstromkennlinieHBTheterojunction bipolar transistorI-V-characteristicKollektorstromTEBTtunnel emitter bipolar transistor621667Emitter-base electron transport in GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors and tunnel emitter bipolar transistors.Emitter-Basis-Elektronen-Transport in GaInP/GaAs Heterobipolartransistoren und Tunnel-Emitter-Bipolartransistorenconference paper