Quenzer, H.H.QuenzerSchulz, A.V.A.V.SchulzWagner, B.B.WagnerMerz, P.P.Merz2022-03-082022-03-082005https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/306852Beschrieben wird ein Verfahren zur Strukturierung eines aus glasartigem Material bestehenden Flaechensubstrats. Das erfindungsgemaesse Verfahren zeichnet sich durch die Kombination der folgenden Verfahrensschritte aus: - Bereitstellen eines aus einem Halbleitermaterial bestehenden Halbleiter-Flaechensubstrats, - Strukturieren mindestens einer Oberflaeche des Halbleiter- Flaechensubstrats zum Erhalt von Vertiefungen auf der Oberflaeche, - Verbinden der Oberflaeche des Halbleiter-Flaechensubstrats mit dem glasartigen Flaechensubstrat, wobei die strukturierte Oberflaeche des Halbleiter-Flaechensubstrats mit einer Oberflaeche des glasartigen Flaechensubstrats mindestens teilweise ueberdeckend zusammengefuehrt wird, - Tempern der verbundenen Flaechensubstrate, derart, dass ein Hineinfliessen wenigstens von Teilbereichen des glasartigen Materials in die Vertiefungen der strukturierten Oberflaeche des Halbleiter- Flaechensubstrats erfolgt, - Materialabtrag zumindest des wiederverfestigten glasartigen Flaechensubstrats, derart, dass das glasartige Flaechensubstrat eine buendig zur strukturierten Oberflaeche des Halbleiter-Flaechensubstrats anschliessende Oberflaeche annimmt.WO 200273684 A UPAB: 20021031 NOVELTY - Structuring a flat substrate made from a glass-like material comprises preparing a semiconductor flat substrate; structuring at least one surface of the substrate to form recesses in the surface; joining the surface of the semiconductor flat substrate with the glass-like substrate; tempering so that partial areas of the glass-like material are cast in the recesses in the structured surface of the semiconductor flat substrate; and removing material from the re-solidified glass-like flat substrate so that the substrate receives a surface connected to the structured surface of the semiconductor flat substrate in a flush manner. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The semiconductor flat substrate is removed from the glass-like flat substrate by etching the semiconductor material. USE - For electrically contacting components in microelectronics or micromechanics (claimed). ADVANTAGE - The process is precise and economical.de608621patent2001-10112612