Wöllenstein, J.J.WöllensteinMoretton, E.E.MorettonStich, R.R.StichFrerichs, H.P.H.P.FrerichsWilbertz, C.C.WilbertzFreund, I.I.FreundLehmann, M.M.Lehmann2022-03-102022-03-102004https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/346040Entwickelt wurde ein neuartiger Pd-Gate-MOSFET zur Wasserstoffdetektion. Der Herstellungsprozess zeichnet sich durch seine vollständige Kompatibilität mit einer Standard-0.5-Mikrometer-CMOS-Technologie aus. Dadurch wird eine äußerst preisgünstige Herstellung sowie die Integration von Auswerteelektronik in den Sensor-Chip möglich. Zielanwendungen für den Sensor liegen in der Sicherheitstechnik, z.B . der Leckageüberwachung. Der Sensor wurde bei verschiedenen Gasbeaufschlagungen (H2, H2O, N02, CO, CH4, H2S und NH3) charakterisiert. Eine - wenn auch geringe - Querempfindlichkeit konnte bei den Labormessungen nur auf Ammoniak und Schwefelwasserstoff beobachtet werden.dechemischer SensorWasserstoffsensorFeldeffekttransistorCMOS-TechnikSicherheitstechnik621conference paper