Entwicklung eines Herstellungsprozesses für niederohmige, vertikale Leistungs-MOS-Transistoren in Trenchtechnologie unter Verwendung von nur drei Lithographieschritten

Wahl, UweUweWahl2022-03-072022-03-072000https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/281525deMOS-FETLithographieLeistungstransistor621Entwicklung eines Herstellungsprozesses für niederohmige, vertikale Leistungs-MOS-Transistoren in Trenchtechnologie unter Verwendung von nur drei Lithographieschrittendoctoral thesis