Verbundvorhaben: Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si-Wafer (ENOWAII); Teilprojekt: Erarbeitung der Grundlagen für einen schädigungsarmen Säge- und Vereinzelungsprozess für Quasi-Mono-Silizium (II). Schlussbericht

Rist, T.T.RistBierwisch, C.C.BierwischKrappitz, M.M.KrappitzMee, S.S.MeeKübler, R.R.Kübler2022-03-082022-03-082016https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/30027810.2314/GBV:887702759deKristallisationwaferingsiliciumDiamantdrahtSägeprozess620Verbundvorhaben: Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si-Wafer (ENOWAII); Teilprojekt: Erarbeitung der Grundlagen für einen schädigungsarmen Säge- und Vereinzelungsprozess für Quasi-Mono-Silizium (II). Schlussberichtreport