Mayer, K.K.MayerBaumann, S.S.BaumannKray, D.D.KrayKolbesen, B.O.B.O.Kolbesen2022-03-082022-03-082007https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/307920Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Materialabtrag an Festkoerpern, bei dem mittels Fluessigkeitsstrahl-gefuehrtem Laser-Aetzen das Material abgetragen wird, wobei nicht-abreagierte Aetzkomponenten in hohem Umfang rezykliert werden. Gleichzeitig wird das auf diese Weise zurueckgewonnene Silicium entweder polykristallin in hoher Reinheit erhalten oder in derselben Prozesskette epitaktisch auf anderen Substraten abgeschieden.WO 2007085454 A1 UPAB: 20070919 NOVELTY - A combined laser/fluid etching process applied to high-purity silicon wafer material. The fluid contains a halogen agent and removes liberated high-purity silicon wafer material. In a process to recover the silicon, the fluid is distilled, condensed and recovered in polycrystalline form or by deposit on another substrate. In a final stage, halogens are driven from the recovered solids. USE - Process to recover high-purity silicon material from laser etching process. ADVANTAGE - The process avoids crystal damage in the high-value material. Further claimed is that the process increases the recovery rate in comparison with prior art.de620patent102006003605