3D-Analyse von Eigenspannungen in einkristallinen Halbleiterwafern mittels Infrarot-Raster-Polariskopie und hochaufgelöster Röntgenbeugung

Herms, M.M.HermsMelov, V.G.V.G.MelovSchreiber, J.J.SchreiberFukuzawa, M.M.FukuzawaYamada, M.M.Yamada2022-03-092022-03-092000https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/336194de6206586703D-Analyse von Eigenspannungen in einkristallinen Halbleiterwafern mittels Infrarot-Raster-Polariskopie und hochaufgelöster Röntgenbeugungconference paper