Wennekers, P.P.Wennekers2022-03-082022-03-081994https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/302961Bei einem Feldeffekttransistor werden nichtlegierte ohmsche Source-Drain-Kontakte (7, 8) ermoeglicht, indem die Kanalschicht (3) mit einem Lanthanid-Arsenid beschichtet wird, das als Kontakt vermittelnde Schicht (9) dient und mit einer sehr duennen, leitenden, monokristallinen, epitaktischen Gallium-Arsenid-Schicht (10) bedeckt ist, auf der Nickel (11) aufgedampft ist, wobei auf einen Legierungsschritt verzichtet wird.de608621667patent1988-3842863