Lutz, G.G.LutzManfredi, P.F.P.F.ManfrediButtler, W.W.ButtlerVogt, H.H.Vogt2022-03-082022-03-081989https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/316790CMOS kompatible Bauelemente erweitern den Anwendungsbereich von CMOS-Schaltungen. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) im CMOS-Prozeß erlauben die Auslegung von Verstärkern mit verbessertem Signal-Rauschabstand. Die Unempfindlichkeit von JFET-Transistoren gegenüber radioaktiver Bestrahlung erlauben den Einsatz dieser JFET-CMOS-Verstärker in Bereichen, in denen die Verstärker unmittelbarer Strahlung ausgesetzt sind.deCMOS kompatibler JFETCMOS-OperationsverstärkerJFET-Verstärkerrauscharmer CMOS-VerstärkerStrahlungsfester Verstärker621conference paper