Feng, S.S.FengSauerer, J.J.SauererHagelauer, R.R.HagelauerSeitzer, D.D.Seitzer2022-03-082022-03-081993https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/321285In dieser Arbeit werden Monte-Carlo-Simulationen an den Analogschaltungen aus 0,5 mu m GaAs-E/D-HEMT-Technologie durchgeführt, die aus zwei Gruppen: 1. zwei Stromquellen und ein 8 Bit Digital/Analog-Umsetzer (DAU) und 2. ein von Raytheon entwickelte empirische Modell verwendet. Die Transistorparameter und ihre lokalen Schwankungen werden durch Transistormessungen statistisch bestimmt. Durch die eingehende Untersuchung wird gezeigt, daß die Genauigkeit und Ausbeute dieser Analogschaltungen durch die Monte-Carlo-Simulation mit dem Transistormodell abgeschätzt werden kann.deDACDAUDigital-Analog-Umsetzungdigital to analog converterGallium Arsenidgallium arsenideMonte Carlo simulationsimulationsimulation modelSimulationsmodell006621conference paper