Eisenbeiss, A.A.EisenbeissHeinrich, H.H.HeinrichOpschoor, J.J.OpschoorTijburg, R.P.R.P.TijburgPreier, H.M.H.M.Preier2022-03-022022-03-021987https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/17566810.1063/1.97787Der durch einen Elektronenstrahl induzierte Strom (EBIC) wurde fuer eine GaAs/Ga tief 0,84 A1 tief 0,52 As-Heterogrenzflaeche als Funktion einer externen Vorspannung gemessen. Bei fehlender Grenzschichtladung wurde die Flachbandspannung gemessen und die Bandverschiebung ermittelt. Fuer die Valenzbandkante ergab sich eine Verschiebung von 5,5 meV/% Al. (IPM)enBandverschiebungHeterogrenzflächeStrom(elektronenstrahlinduziert)621Determination of the band-edge offset in heterojunctions by electron beam induced current - GaAs/GaAlAs.Bestimmung der Bandverschiebung in Doppelheterostrukturen durch elektronenstrahlinduzierten Strom - GaAs/GaAlAsjournal article