Höfer, M.M.HöferJung, A.A.JungJung, T.T.JungKricheldorf, H.-U.H.-U.KricheldorfSchmidt, F.F.Schmidt2022-03-032022-03-032000https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/19768710.1007/BF03240761Bei der Herstellung vieler wichtiger Oxidschichten leiden herkömmliche Sputterverfahren unter dem Nachteil niedriger Beschichtungsraten und mangelhafter Prozessstabilität. Das Gasflusssputterverfahren umgeht beide Schwierigkeiten, das Raten- wie das Stabilitätsproblem, durch sein einzigartiges Wirkprinzip. Vor kurzem entwickelte neue Gasflusssputterquellen mit Targetlängen von bis zu einem Meter werden bereits erfolgreich eingesetzt.de667669journal article