Jahnel, J.J.JahnelRyssel, H.H.RysselPrinke, G.G.PrinkeHoffmann, K.K.HoffmannMueller, K.K.MuellerHenkelmann, R.R.HenkelmannBiersack, J.P.J.P.Biersack2022-03-022022-03-021981https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/170340enArsenprofilBorprofilimplantationPearson-VerteilungProfilDescription of arsenic and boron profiles implanted into SiO2, Si3N4, and Si using Pearson distributions with four moments.Beschreibung von Arsen- und Borprofilen implantiert in SiO2, Si3N4 und Si mittels Pearsonverteilung mit vier Momentenjournal article