Erlbacher, TobiasTobiasErlbacherSchletz, AndreasAndreasSchletz2022-03-082022-03-082020https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/312276Bei einem Leistungsmodul, das ein Trägersubstrat mit wenigstens einem unipolaren Halbleiterbauelement als Leistungsschalter aufweist, ist das unipolare Halbleiterbauelement so ausgebildet, dass ein Temperaturanstieg des Halbleiterbauelements von einer ersten Temperatur, auf die sich das Halbleiterbauelement bei einem Betrieb bei 50% Volllast erwärmt, auf eine zweite Temperatur, auf die sich das Halbleiterbauelement bei einem Betrieb bei Volllast erwärmt, geringer ist als ein Temperaturanstieg des Halbleiterbauelements von einer Anfangstemperatur ohne Last bis zur ersten Temperatur. Durch den verringerten Temperaturhub zwischen 50% und 100% Volllast kann die Lebensdauer des Leistungsmoduls verlängert werden.de670620530patent102018216998