Ali, Tarek Nadi IsmailTarek Nadi IsmailAliPolakowski, PatrickPatrickPolakowskiSeidel, KonradKonradSeidel2022-03-082022-03-082021https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/312211Die vorliegende Erfindung betrifft einen Dünnschichttransistor bei dem auf einem Substrat (1) eine erste Elektrodenschicht (3) aus einem elektrisch leitfähigen Werkstoff aufgebracht ist, auf die erste Elektrodenschicht (3) eine erste ferroelektrische Schicht (4) aus einem ferroelektrischen Werkstoff aufgebracht ist, auf die erste ferroelektrische Schicht (4) eine zweite Elektrodenschicht (5) aufgebracht ist, auf der zweiten Elektrodenschicht (5) eine erste elektrische Isolierschicht (6) aufgebracht ist und auf der ersten elektrischen Isolierschicht (6) eine Abschlussschicht (7) aufgebracht ist. In der Abschlussschicht (7) sind ein Source-Anschluss und ein Drain-Anschluss ausgebildet, wobei eine elektrische Durchkontaktierung (8) zwischen dem Source-Anschluss der Abschlussschicht (7) und der ersten ferroelektrischen Schicht (4) eingebracht ist.de621patent102019214077