Vogt, HolgerHolgerVogtGoehlich, AndreasAndreasGoehlichJupe, AndreasAndreasJupe2022-03-082022-03-082013https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/310044Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen ein Verfahren zur Herstellung einer integrierte Sensorstruktur. In einem Schritt wird ein Halbleitersubstrat mit einer integrierten Ausleseelektronik und einer Metallisierungsstruktur bereitgestellt, wobei die Metallisierungsstruktur Wolfram umfasst und an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats freiliegt. In einem weiteren Schritt wird eine Sensorschicht auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats abgeschieden, wobei das Halbleitersubstrat mit der integrierten Ausleseelektronik und der Metallisierungsstruktur beim Abscheiden der Sensorschicht einer Temperatur ausgesetzt wird, die oberhalb einer maximalen bei der Erzeugung der integrierten Ausleseelektronik verwendeten Temperatur liegt, derart, dass die Sensorschicht über die Metallisierungsstruktur mit der integrierten Ausleseelektronik verbunden ist.US2013228880A Embodiments of the present invention provide a method for manufacturing an integrated sensor structure. In one step, a semiconductor substrate having integrated readout electronics and a metallization structure is provided, the metallization structure including tungsten and being exposed on a surface of the semiconductor substrate. In another step, a sensor layer is deposited onto the surface of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate having the integrated readout electronics and the metallization structure being exposed, when depositing the sensor layer, to a temperature which is above a maximum temperature used when generating the integrated readout electronics such that the sensor layer is connected to the integrated readout electronics via the metallization structure.de621patent102012202846