Feng, S.S.FengSauerer, J.J.SauererHagelauer, R.R.HagelauerSeitzer, D.D.Seitzer2022-03-082022-03-081992https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/319743Bei der Entwicklung analoger Abtastschaltungen stellt der Schalter als Schlüsselkomponente hohe Anforderungen an Geschwindigkeit und Genauigkeit. Im vorliegenden Beitrag werden Charakterisierungs-und Entwurfsverfahren von GaAs-MESFET-Analogschaltern untersucht. Zu Beginn werden ein physikalisches passives Modell und ein verbessertes aktives Raytheon-Modell für Analogschalter vorgestellt. Die Ersatzschaltbildelemente des passiven Modells weisen eine AbhSngigkeit von den Gate-, Source- und Drainspannungen auf. Bei dem aktiven Modell wird zusStzlich der Leckstrom hervorgerufen durch Substrate- und OberflSchenverluste, berücksichtigt. Ausgehend von dem passiven Modell wird der LSngstransistorschalter bezüglich Eingangsspannungsbereich, Frequenzbereich, Schaltfehler und Schaltrauschen charakterisiert. Eine Schalterkonfiguration mit zwei Dummy-Transistoren wurde entwickelt. Die ²berprüfung durch HSPICE-Simulationen zeigt, dass diese Schaltung eine Verbesserung der Genauigkeit enthSlt.deAbtastschaltungcircuit designcircuit theoryGallium Arsenidgallium arsenidesampling circuitSchalterSchaltungsentwurfSchaltungstheorieswitch006621conference paper