Under CopyrightWeber, Eicke R.Zacharias, MargitHofmann, MarcKühnhold-Pospischil, SaskiaSaskiaKühnhold-Pospischil2022-03-0718.4.20182018https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/28206910.24406/publica-fhg-282069Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/ Al2O3-Grenzfläche beiträgt.decondensed matter physics (liquid state & solid state physics)atomic & molecular physicsAngewandte PhysikPhysik der kondensierten MaterieAtom- und MolekülphysikPhysikMaterialwissenschaftFestkörperphysikPhotovoltaikHalbleiterphysik621697doctoral thesis