Maier, M.M.MaierBachem, K.H.K.H.BachemHornung, J.J.Hornung2022-03-082022-03-081988https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/314809enGaAsimplantationIonen ChannelingSIMS621667Channeling of Si during implantation into GaAs for MESFETsChanneling von Si bei der Implantation in GaAs für die Herstellung von MESFETsconference paper